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安森美半导体超级结MOSFET技术,始终以高要求严于标准

作者: 时间:2020-09-17 23:34

  近些年来,数字科技的前进,如微处理器运算效能不断进步,带给深化研制新一代k8凯发官方appMOSFET更多的动力,也使得MOSFET自身的操作速度越来越快,简直成为各种半导体自动元件中最快的一种。因为MOSFET元件的功用逐步进步,除了传统上使用于比如微处理器、微控制器等数位信号处理的场合,也有越来越多模拟信号处理的集成电路能够用MOSFET来完成。而安森美半导体凭仗超级结MOSFET技能,成为该领域内的佼佼者。

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  安森美半导体亲近重视市场动态,不断研讨立异,使MOSFET技能走向高效率、高频化、高密度、小体积、高可靠性及长寿命的开展路途,跟从现在“万物联网”布景下加快电子化水平进程。安森美半导体推出新的900V和1200V两个碳化硅(SiC)MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器材系列。这两款新的器材能够供给比硅更快的开关功用和更高的可靠性。一起其快速本征二极管具有低反向恢复电荷,能够明显下降损耗,进步作业频率以及全体计划的功率密度。

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  小芯片尺寸进一步增强高频作业,达至更小的器材电容和更低的门极电荷-Qg(低至220nC),然后下降在高频下作业时的开关损耗。这些增强功用比根据Si的MOSFET进步能效,下降电磁搅扰(EMI),并可运用更少(或更小)的无源器材。极强固的SiC MOSFET比Si器材供给更高的浪涌额定值、更好的雪崩才能和更高的抗短路功用,然后供给更高的可靠性和更长的运用寿命,这对高要求的现代电源使用至关重要。

  与此一起,1200V器材的额定电流高达103A(最大ID),而900V器材的额定电流高达118A。关于需求更高电流的使用,安森美半导体的MOSFET可易于并联运转,因其正温系数/不受温度影响。这也使得新器材适用于各种高要求的高增长使用,包含太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,供给的功用水平是其他硅(Si)MOSFET底子无法完成的。

  安森美半导体一向秉持着高效能立异的研制理念,坚持供给高功用、高可靠性的各类器材,其间也包含超级结MOSFET。除此之外,安森美半导体还将完成更多的低耗高要求计划。等待安森美半导体未来的立异与晋级。




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